| Частка нумар : |
NSTB60BDW1T1 |
| Вытворца / Вытворца : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : |
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
| RoHs Статус : |
Змяшчае свінец / RoHS неадпаведным |
| Даступнае колькасць |
4177 pcs |
| лісткі |
NSTB60BDW1T1.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) |
50V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| тып Transistor |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Пастаўшчык Камплект прылад |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| серыя |
- |
| Рэзістар - эмітар база (R2), |
47 kOhms |
| Рэзістар - Падстава (R 1) |
22 kOhms |
| Магутнасць - Макс |
250mW |
| ўпакоўка |
Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| іншыя назвы |
NSTB60BDW1T1OS |
| тып ўстаноўкі |
Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частата - пераход |
140MHz |
| Падрабязнае апісанне |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) |
500nA |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) |
150mA |
| Базавы нумар дэталі |
NSTB60B |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
