| Частка нумар : | NSTB1004DXV5T1G |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 5894 pcs |
| лісткі | |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | - |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | - |
| тып Transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | SOT-553 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | - |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | - |
| Магутнасць - Макс | - |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | SOT-553 |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | - |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Surface Mount SOT-553 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | - |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | - |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
