| Частка нумар : | UMF5NTR |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 287505 pcs |
| лісткі | 1.UMF5NTR.pdf2.UMF5NTR.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 50V, 12V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| тып Transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Пастаўшчык Камплект прылад | UMT6 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | 47 kOhms |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | 47 kOhms |
| Магутнасць - Макс | 150mW |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 10 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | 250MHz, 260MHz |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 500nA |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 100mA, 500mA |
| Базавы нумар дэталі | *MF5 |
