| Частка нумар : | SUM60N10-17-E3 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| апісанне : | MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 22027 pcs |
| лісткі | SUM60N10-17-E3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-263 (D2Pak) |
| серыя | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| іншыя назвы | SUM60N10-17-E3-ND SUM60N10-17-E3TR SUM60N1017E3 |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 100V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 100V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
