| Частка нумар : | STW65N80K5 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | STMicroelectronics |
| апісанне : | MOSFET N-CH 800V 46A |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 2692 pcs |
| лісткі | STW65N80K5.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-247 |
| серыя | MDmesh™ K5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 23A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 446W (Tc) |
| ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-247-3 |
| іншыя назвы | 497-16333-5 |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 42 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 100V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 800V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 800V 46A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
STMicroelectronics
