| Частка нумар : | STB42N65M5 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | STMicroelectronics |
| апісанне : | MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 4343 pcs |
| лісткі | STB42N65M5.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±25V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | D2PAK |
| серыя | MDmesh™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 190W (Tc) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| іншыя назвы | 497-8769-2 |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 42 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 100V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 650V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
STMicroelectronics
