| Частка нумар : | SQ3418AEEV-T1_GE3 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| апісанне : | MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 74981 pcs |
| лісткі | SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | 6-TSOP |
| серыя | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 4W (Tc) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| іншыя назвы | SQ3418AEEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1-GE3-ND |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 15V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 30V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 30V 7.8A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
