| Частка нумар : | SPB80N03S2-03 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| апісанне : | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| RoHs Статус : | Змяшчае свінец / RoHS неадпаведным |
| Даступнае колькасць | 4160 pcs |
| лісткі | SPB80N03S2-03.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | PG-TO263-3-2 |
| серыя | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 300W (Tc) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| іншыя назвы | SP000016251 SPB80N03S203T |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 7020pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 30V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
