| Частка нумар : | S16JR |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | GeneSiC Semiconductor |
| апісанне : | DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 6955 pcs |
| лісткі | 1.S16JR.pdf2.S16JR.pdf |
| Напружанне - Пікавы зваротны (Макс) | Standard, Reverse Polarity |
| Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі | 16A |
| Напружанне - Разбіўка | - |
| серыя | - |
| статус RoHS | Bulk |
| Адваротнае час аднаўлення (ТІР) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Супраціў @, калі F | - |
| палярызацыя | DO-203AA, DO-4, Stud |
| іншыя назвы | S16JRGN |
| тып ўстаноўкі | Chassis, Stud Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 10 Weeks |
| Вытворца Part Number | S16JR |
| пашыранае апісанне | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 16A Chassis, Stud Mount |
| дыёд канфігурацыі | 10µA @ 50V |
| апісанне | DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA |
| Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr | 1.1V @ 16A |
| Ток - сярэдні выпрастаныя (Io) (на дыёд) | 600V |
| Ёмістнай @ Vr, F | -65°C ~ 175°C |
