| Частка нумар : | RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| апісанне : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 1459077 pcs |
| лісткі | RN2910FE,LF(CB.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 50V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| тып Transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | ES6 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | - |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | 4.7 kOhms |
| Магутнасць - Макс | 100mW |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | SOT-563, SOT-666 |
| іншыя назвы | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 16 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | 200MHz |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
