| Частка нумар : | RD3L140SPTL1 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | PCH -60V -14A POWER MOSFET |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 45732 pcs |
| лісткі | RD3L140SPTL1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-252 |
| серыя | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84 mOhm @ 14A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 20W (Tc) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| іншыя назвы | RD3L140SPTL1TR |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 13 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| тып FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 60V |
| Падрабязнае апісанне | P-Channel 60V 14A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
LAPIS Semiconductor
