| Частка нумар : | R6046ANZ1C9 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | MOSFET N-CH 600V 46A TO247 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 2532 pcs |
| лісткі | R6046ANZ1C9.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-247 |
| серыя | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 120W (Tc) |
| ўпакоўка | Bulk |
| Упакоўка / | TO-247-3 |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 600V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 600V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
