| Частка нумар : | QS8J13TR |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 122372 pcs |
| лісткі | 1.QS8J13TR.pdf2.QS8J13TR.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TSMT8 |
| серыя | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Магутнасць - Макс | 1.25W |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | 8-SMD, Flat Lead |
| іншыя назвы | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 6V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| тып FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 12V |
| Падрабязнае апісанне | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 5.5A |
LAPIS Semiconductor
