| Частка нумар : | NSBA113EDXV6T1 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| RoHs Статус : | Змяшчае свінец / RoHS неадпаведным |
| Даступнае колькасць | 4238 pcs |
| лісткі | NSBA113EDXV6T1.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 50V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| тып Transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | SOT-563 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | 1 kOhms |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | 1 kOhms |
| Магутнасць - Макс | 500mW |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | SOT-563, SOT-666 |
| іншыя назвы | NSBA113EDXV6T1OS |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частата - пераход | - |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 500nA |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базавы нумар дэталі | NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
