| Частка нумар : | MURTA500120R |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | GeneSiC Semiconductor |
| апісанне : | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 480 pcs |
| лісткі | MURTA500120R.pdf |
| Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі | 2.6V @ 250A |
| Напружанне харчавання - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200V |
| Пастаўшчык Камплект прылад | Three Tower |
| хуткасць | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| серыя | - |
| ўпакоўка | Bulk |
| Упакоўка / | Three Tower |
| Рабочая тэмпература - Junction | -55°C ~ 150°C |
| тып ўстаноўкі | Chassis Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 4 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| дыёд тыпу | Standard |
| дыёд канфігурацыі | 1 Pair Common Anode |
| Падрабязнае апісанне | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower |
| Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Ток - сярэдні выпрастаныя (Io) (на дыёд) | 250A |
GeneSiC Semiconductor
