| Частка нумар : | MUN5115DW1T1G |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 637850 pcs |
| лісткі | MUN5115DW1T1G.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 50V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| тып Transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | - |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | 10 kOhms |
| Магутнасць - Макс | 250mW |
| ўпакоўка | Cut Tape (CT) |
| Упакоўка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| іншыя назвы | MUN5115DW1T1GOSCT |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 40 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | - |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 500nA |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базавы нумар дэталі | MUN51**DW1T |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
