| Частка нумар : | L14N2 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 4571 pcs |
| лісткі | L14N2.pdf |
| даўжыня хвалі | 880nm |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 30V |
| кут агляду | 80° |
| серыя | * |
| Магутнасць - Макс | 300mW |
| ўпакоўка | - |
| Упакоўка / | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| іншыя назвы | L14N2GE L14N2QT L14N2QT-ND |
| арыентацыя | Top View |
| Працоўная тэмпература | -65°C ~ 125°C (TA) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Падрабязнае апісанне | Phototransistor 880nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Ток - Dark (Id) (Max) | 100nA |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
