| Частка нумар : | KBJ2506G |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | GeneSiC Semiconductor |
| апісанне : | DIODE BRIDGE 600V 25A KBJ |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 27321 pcs |
| лісткі | 1.KBJ2506G.pdf2.KBJ2506G.pdf |
| Напружанне - Пікавы зваротны (Макс) | 600V |
| Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі | 1.05V @ 12.5A |
| тэхналогія | Standard |
| Пастаўшчык Камплект прылад | KBJ |
| серыя | - |
| ўпакоўка | Bulk |
| Упакоўка / | 4-SIP, KBJ |
| іншыя назвы | KBJ2506GGN |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 4 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| дыёд тыпу | Single Phase |
| Падрабязнае апісанне | Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJ |
| Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr | 10µA @ 600V |
| Ток - сярэдні выпрастаны (Io) | 25A |
