| Частка нумар : | IXFH150N17T2 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | IXYS Corporation |
| апісанне : | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 5083 pcs |
| лісткі | IXFH150N17T2.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-247AD (IXFH) |
| серыя | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 75A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 880W (Tc) |
| ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-247-3 |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 14600pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 233nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 175V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
IXYS Corporation
