| Частка нумар : | IS42S32160C-6BLI-TR |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| апісанне : | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 5915 pcs |
| лісткі | 1.IS42S32160C-6BLI-TR.pdf2.IS42S32160C-6BLI-TR.pdf |
| Напісаць Час цыкла - Слова, Page | - |
| Напружанне харчавання - Харчаванне | 3 V ~ 3.6 V |
| тэхналогія | SDRAM |
| Пастаўшчык Камплект прылад | 90-WBGA (8x13) |
| серыя | - |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | 90-LFBGA |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 85°C (TA) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 3 (168 Hours) |
| тып памяці | Volatile |
| памер памяці | 512Mb (16M x 32) |
| інтэрфейс памяці | Parallel |
| фарматаванне памяці | DRAM |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Падрабязнае апісанне | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (8x13) |
| тактавая частата | 166MHz |
| час доступу | 5.4ns |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
