| Частка нумар : | IRLML2502GTRPBF |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| апісанне : | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 225367 pcs |
| лісткі | IRLML2502GTRPBF.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±12V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | Micro3™/SOT-23 |
| серыя | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 1.25W (Ta) |
| ўпакоўка | Original-Reel® |
| Упакоўка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| іншыя назвы | IRLML2502GTRPBFDKR |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 20V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
