| Частка нумар : | IRF740ALPBF |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| апісанне : | MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 21140 pcs |
| лісткі | IRF740ALPBF.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | I2PAK |
| серыя | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| іншыя назвы | *IRF740ALPBF |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 18 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 400V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 400V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
