| Частка нумар : |
IRF3711STRR |
| Вытворца / Вытворца : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
| апісанне : |
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| RoHs Статус : |
Змяшчае свінец / RoHS неадпаведным |
| Даступнае колькасць |
4268 pcs |
| лісткі |
IRF3711STRR.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Vgs (Макс) |
±20V |
| тэхналогія |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад |
D2PAK |
| серыя |
HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 15A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) |
3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| ўпакоўка |
Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Працоўная тэмпература |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі |
Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds |
2980pF @ 10V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs |
44nC @ 4.5V |
| тып FET |
N-Channel |
| FET Feature |
- |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) |
20V |
| Падрабязнае апісанне |
N-Channel 20V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C |
110A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
