| Частка нумар : | GP1M020A050N |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Global Power Technologies Group |
| апісанне : | MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 26034 pcs |
| лісткі | GP1M020A050N.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-3PN |
| серыя | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 10A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 312W (Tc) |
| ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-3P-3, SC-65-3 |
| іншыя назвы | 1560-1191-1 1560-1191-1-ND 1560-1191-5 |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 3094pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 500V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 500V 20A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Global Power Technologies Group
