| Частка нумар : | GDP50P120B |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Global Power Technologies Group |
| апісанне : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 486 pcs |
| лісткі | GDP50P120B.pdf |
| Напружанне - Пікавы зваротны (Макс) | Silicon Carbide Schottky |
| Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі | 50A (DC) |
| Напружанне - Разбіўка | TO-247-2 |
| серыя | Amp+™ |
| статус RoHS | Tube |
| Адваротнае час аднаўлення (ТІР) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Супраціў @, калі F | 2984pF @ 1V, 1MHz |
| палярызацыя | TO-247-2 |
| іншыя назвы | 1560-1028-5 |
| Рабочая тэмпература - Junction | 0ns |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Part Number | GDP50P120B |
| пашыранае апісанне | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| дыёд канфігурацыі | 100µA @ 1200V |
| апісанне | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr | 1.7V @ 50A |
| Ток - сярэдні выпрастаныя (Io) (на дыёд) | 1200V (1.2kV) |
| Ёмістнай @ Vr, F | -55°C ~ 135°C |
Global Power Technologies Group
