| Частка нумар : | FQPF3P50 |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 5827 pcs |
| лісткі | FQPF3P50.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-220F |
| серыя | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 950mA, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 39W (Tc) |
| ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-220-3 Full Pack |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| тып FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 500V |
| Падрабязнае апісанне | P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
