| Частка нумар : | FDT86106LZ |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 55225 pcs |
| лісткі | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | SOT-223-4 |
| серыя | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 2.2W (Ta) |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-261-4, TO-261AA |
| іншыя назвы | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 25 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 100V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
