| Частка нумар : | FDME910PZT |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 98696 pcs |
| лісткі | FDME910PZT.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Макс) | ±8V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| серыя | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 2.1W (Ta) |
| ўпакоўка | Cut Tape (CT) |
| Упакоўка / | 6-PowerUFDFN |
| іншыя назвы | FDME910PZTCT |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 39 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 10V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| тып FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 20V |
| Падрабязнае апісанне | P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
