| Частка нумар : | EPC2045ENGRT |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | EPC |
| апісанне : | TRANS GAN 100V BUMPED DIE |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 10777 pcs |
| лісткі | EPC2045ENGRT.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Vgs (Макс) | +6V, -4V |
| тэхналогія | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | Die |
| серыя | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 5V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | - |
| ўпакоўка | Cut Tape (CT) |
| Упакоўка / | Die |
| іншыя назвы | 917-EPC2045ENGRCT |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 14 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 50V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 100V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 100V 16A (Ta) Surface Mount Die |
| Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
EPC
