| Частка нумар : | EMZ51T2R |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 435780 pcs |
| лісткі | 1.EMZ51T2R.pdf2.EMZ51T2R.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 20V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| тып Transistor | NPN, PNP |
| Пастаўшчык Камплект прылад | EMT6 |
| серыя | - |
| Магутнасць - Макс | 150mW |
| ўпакоўка | Original-Reel® |
| Упакоўка / | SOT-563, SOT-666 |
| іншыя назвы | EMZ51T2RDKR |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | 400MHz, 350MHz |
| Падрабязнае апісанне | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 200mA |
LAPIS Semiconductor
