| Частка нумар : | EMA3T2R |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | LAPIS Semiconductor |
| апісанне : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 513952 pcs |
| лісткі | 1.EMA3T2R.pdf2.EMA3T2R.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 50V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| тып Transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Пастаўшчык Камплект прылад | EMT5 |
| серыя | - |
| Рэзістар - эмітар база (R2), | - |
| Рэзістар - Падстава (R 1) | 4.7 kOhms |
| Магутнасць - Макс | 150mW |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 10 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | 250MHz |
| Падрабязнае апісанне | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 500nA (ICBO) |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 100mA |
LAPIS Semiconductor
