| Частка нумар : | CUS10F30,H3F |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| апісанне : | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 988114 pcs |
| лісткі | CUS10F30,H3F.pdf |
| Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі | 500mV @ 1A |
| Напружанне харчавання - DC Reverse (Vr) (Макс) | 30V |
| Пастаўшчык Камплект прылад | USC |
| хуткасць | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| серыя | - |
| ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | SC-76, SOD-323 |
| іншыя назвы | CUS10F30,H3F(B CUS10F30,H3F(D CUS10F30,H3F(T CUS10F30H3F(TTR CUS10F30H3F(TTR-ND CUS10F30H3FT CUS10F30H3FTR |
| Рабочая тэмпература - Junction | 125°C (Max) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Вытворца Стандартнае час | 18 Weeks |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| дыёд тыпу | Schottky |
| Падрабязнае апісанне | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount USC |
| Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr | 50µA @ 30V |
| Ток - сярэдні выпрастаны (Io) | 1A |
| Ёмістнай @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Базавы нумар дэталі | CUS10F30 |
