| Частка нумар : | 2SC2235-Y,T6KEHF(M |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| апісанне : | TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 4132 pcs |
| лісткі | 2SC2235-Y,T6KEHF(M.pdf |
| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс) | 120V |
| Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| тып Transistor | NPN |
| Пастаўшчык Камплект прылад | TO-92MOD |
| серыя | - |
| Магутнасць - Макс | 900mW |
| ўпакоўка | Bulk |
| Упакоўка / | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| іншыя назвы | 2SC2235-YT6KEHF(M 2SC2235YT6KEHFM |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частата - пераход | 120MHz |
| Падрабязнае апісанне | Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Ток - Калектар Межавая (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - калектар (Ic) (Макс) | 800mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
