| Частка нумар : | 2N6027RL1G |
|---|---|
| Вытворца / Вытворца : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| апісанне : | THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 |
| RoHs Статус : | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 4957 pcs |
| лісткі | 2N6027RL1G.pdf |
| Напружанне - выхадны | 11V |
| Напружанне - Зрушэнне (Vt) | 1.6V |
| напружанне | 40V |
| серыя | - |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 300mW |
| Упакоўка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| іншыя назвы | 2N6027RL1GOSDKR |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Падрабязнае апісанне | Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Ток - Даліна (Iv) | 50µA |
| Ток - Пік | 2µA |
| Ток - Брама ў аноднай Уцечкі (Igao) | 10nA |
